2017年被动元器件如MLCC、功率器件MOSFET、存储芯片NANDFlash、DRAM等缺货最为突出。针对缺货较为严重的这几类产品，记者采访了代表性的原厂和分销商，一起来听听他们对2018年的市场预判。

1、MLCC：原厂重心转至汽车与工业 中低容MLCC将缺货至Q4

从供应端来看，日韩系厂商将业务重心转向工业、新能源汽车及医疗等高端市场，逐渐淡出0.1uf－1uf的低容市场，是2017年MLCC缺货的一大原因，加上三星MLCC厂房搬迁的影响，令MLCC市场供应“雪上加霜”。

深圳市宇阳科技发展有限公司营销中心副总经理郑春晖表示，日韩系大厂放弃了1uf以下中低容MLCC市场往车载、工业等领域转移，是导致当前中大尺寸低容MLCC缺货的主要原因。目前，TDK已经完全放弃了消费类市场专攻汽车和工业，三星、京瓷和太阳诱电前两年都已经在转移重心了，村田也在逐步放弃1210、1206等中大尺寸低容市场。事实上，2017年，低容市场的缺货也让这些巨头措手不及，当然，它们也不可能再回头针对这些已经放弃的市场重新开出产能。因此，日韩系的战略转移给了台系和陆系厂商机会。

京瓷（中国）商贸有限公司副总经理东山清彦坦言，目前，京瓷MLCC产品线不是特别丰富，主要是针对高端市场的小型化和高容的产品。

从应用端对MLCC的性能要求来看，汽车、工业、医疗等应用比消费类应用要求高很多，就拿温度来说，MLCC在消费类电子应用的温度只需达到85度，而汽车类应用要求达到125度、150度甚至200度，同时，汽车对MLCC的可靠性与测试环境要求也更严格。日韩系大厂在MLCC材料、设备和技术积累上也更有优势，专攻高端市场亦是情理之中。

从需求端来看，郑春辉表示，MLCC缺货和涨价得益于智能手机对MLCC单机搭载量的提升、无线充电需求的暴涨、物联网中Wi－Fi等无线传输模块需求量的增长以及网通产品的爆发带来的利好，同时纯电动汽车对MLCC需求量的惊人增长也是MLCC供应紧张的原因。

据风华高科相关人士透露，截至2017年底MLCC的缺口达到1000－2000亿只，在尺寸上0402、0603、0805、1206等中大型号供应更为紧缺，主要得益于移动通信、汽车与LED市场的拉动，而智能手机无线充电用的NPO MLCC料号，涨幅更是在10倍以上，不过这颗NPO料号即便价高也无货供应。

记者获悉，截至2017年底，部分MLCC厂商已经停止接单，而仍在继续接单的厂商，交货周期也是一再延长。大陆厂商的交货周期由之前的4－6周变为现在的8－12周，台系厂商交期延长至12－16周，日系厂商的交期甚至延长到24周。

2017年MLCC缺货与涨价持续了整年，随着2018年到来，三星电机、村田以及宇阳等上游原厂依旧看好这波行情，并称MLCC紧俏的行情可望延续到2018年年底。

村田（中国）投资有限公司总裁丸山英毅从两方面解读了市场对MLCC需求的增长。一方面，智能手机市场虽然已趋于饱和，但轻薄化和新功能的加入不仅对MLCC有更多的需求，还对MLCC的品质提出了更高的要求；另一方面，PC、游戏机、物联网等领域对MLCC也有较大的需求。同时，在苹果iPhone增加无线充电功能之后，市场对NPO MLCC的需求也快速上升，这也使缺货和涨价情况更加严峻。可以预见的是，2018年MLCC将会持续缺货，并且缺口将比2017年更为严重。

台湾MLCC巨头国巨曾表示，2018年MLCC供需状况持续紧缺，受新型智能手机拉货动能强劲，高毛利车用电子及工业级MLCC产品出货比重提升。鉴于此，国巨将提高利基型MLCC产品比重（大约在10％－15％之间），行情可延续到2018年底。预计2018年国巨业绩可望较2017年成长15％－20％，或创历史新高。

事实上，国巨在2017年已经4度调涨部分品项MLCC产品价格，其紧缺的MLCC产品包括高容、低容和高压的MLCC品类。在2017年第四季度，国巨发布涨价通知，针对通信、工业用NPO MLCC调涨报价20－30％，该应用将以手机、手机充电器、电源供应器等产品为主，约有15％的MLCC规格受惠。

“解决缺货问题最有效的措施当然是提升产能”，丸山英毅表示村田在看到MLCC缺货的情况之后已经动用了所有可以使用的资源去满足市场需求，包括提供库存以及提升产能。提升产能方面村田有长期的计划，例如在2017财年有2600亿日元的设备投入来提高产能，未来还将持续投入，但产能的提升并非立竿见影，工厂的建设和投产都需要时间。“由于MLCC的需求仍在保持两位数增长，我们的产能2018年年底才能有明显提升”。

某原厂预计，MLCC缺货缓解时间是2018年底，在扩充产能方面，原厂都比较谨慎，因为在设备采购、人工成本上都是不小的投入，设备购买运输也需要时间，且明年的市场需求现在不能完全看清。以前MLCC的生产周期是21天，从下订单到出货在一个月左右，而现在是六个月，部分厂商已经停止接单。相对而言，中小型客户将缺货更严重，大型客户因跟原厂有供货协议，因此不会遭受太高的涨价幅度。

郑春晖也表示，2018年Q4并不是所有的型号都可以得到缓解，预计2018年智能手机对MLCC仍将维持2017年的需求量，但电动汽车、物联网对MLCC的需求将在2017年的基础上仍会有大幅增长。在扩产计划上，郑春晖预计原厂对小尺寸封装的MLCC的扩产会多于中大尺寸的扩充，用于无线充电的NPO料号目前缺口最大，但会在各家的相继投产中逐步缓解紧缺危机。

2、NAND Flash：3D制程转进结束 2018价格下探 2019恐供过于求

硅晶圆供不应求和晶圆代工厂新制程转进，是2017年存储芯片缺货与涨价的直接原因。上半年，三星、美光等DRAM制造正式进入1x／1y纳米时代，3D NAND也开始全面进行投片，导致8寸和12寸硅圆供给日益吃紧，加上大陆半导体晶圆厂亦开始大幅度抢货，缺货程度愈发紧张。

NAND Flash缺货的又一原因在于，服务器、PC和智能手机所搭载的存储容量需求的翻倍。以智能手机用NAND Flash为例，2017年，排名前8的手机厂商都采用了中大容量闪存，中端机型一般是32G起步，高端机型在苹果iPhone的引领下多采用64G和128G。单机搭载容量的翻倍增长，必然以增加3D NAND堆叠层数为代价，进而导致NAND Flash对硅晶圆的需求数倍增长。相对国内主流的品牌机型，出口海外的手机容量仍以8G和16G为主，而这部分产品仍集中在2D制程，除此2D制程仍会满足车载、POS机等行业客户的需求。

从2017年工艺制程的转进来看，2017年上半年仍以2D为主，下半年已全面转向了3D。3D比2D有成本优势，且随着良率的提升这种优势会被无限放大，以32G NAND Flash为例，3D工艺要比2D节省18－20美金，这必然加速原厂将制程从2D向3D转进。

深圳市江波龙电子有限公司产品中心嵌入式产品经理李中政告诉记者，目前32G、64G和128G都已全面采用64层3D NAND Flash工艺，且32G已经成为市场应用主流，预计2018年3月，三星第四代3D NAND Flash以及东芝第三代3D NAND Flash开始批量量产，届时NAND Flash产能就会趋向稳定。预计2018年5－6月份，随着产能的稳定，3D NANDFlash价格会有所下降。

从3D NAND Flash的主流应用来看，2018年3D会率先普及SSD固态硬盘和T卡，并以48层和64层为主，待SSD固态硬盘和T卡等稳定性提高之后，才会普及到智能手机等嵌入式产品。

“随着供应商3D NAND Flash良率逐步改善，预计2018年Q1整体供需将出现转变。”Cinno产业咨询部副总经理杨文得预计，2018年，2D NAND Flash会全面转向3D NAND Flash，预计3D与2D的产出比例为8：2。2018年NAND的主要成长仍将依赖服务器、云储存以及车载的快速增长。国内阿里、百度、腾讯与国外谷歌、亚马逊等巨头对大数据和服务器存储的需求上扬，将促使SSD在云服务器的应用得到持续增长。

李中政也表示，随着存储巨头将8成的产能都转向3D NAND Flash，预计2018年Q2左右3D NAND Flash价格会逐渐下探至理性水位。不过由于存储巨头逐渐减弱2D产能，仍适用于汽车的高可靠性2D NAND Flash依然会供应吃紧，价格自然也不会有明显下调。

目前，三星的3D NAND的产能已经占到自家总产能的70％甚至更高，其他诸如美光、东芝、海力士的3D NAND Flash占比仅20％，但3D制程已成是主流趋势，2018年下半年会逐渐起量。

从未来各大巨头的扩产趋势来看，
东芝刚宣布新建的Fab 7以及已兴建中的Fab 6以外，为应对旺盛的服务器SSD需求；
英特尔也将扩建大连厂二期，目标在2018年底增加一倍的3D NAND Flash产能；
三星将扩建西安厂二期，持续放大在中国生产3D NAND Flash的能量；
SK海力士则将在韩国清州厂区另外兴建一座新厂M15，同样以投产96层以上3D NANDFlash为目标，预计2019年正式进入营运。

杨文得也预计2018年3D NAND的产出会不断加载，良率也会提升很多。随着3D产能的不断释放，预计2018年一整年3D NAND的价格将比2017年下跌15－20％。而在中国大陆，长江存储将于2018年下半年投产32层3D NAND Flash产品，并致力于64层产品的开发，以拉近与其他供应商之间的差距。不过，相对国际存储巨头，长江存储的32层3D NAND Flash最早也要到2019年Q2或Q3才会有真正的产能开出。

DRAMeXchange特别分析指出，基于各大供应商都在扩充3D NAND Flash产能，预计2019年以后3D NAND Flash市场恐将再度陷入供过于求的格局，至于2D NAND Flash因供应商陆续转产，仅维持较低比重以满足工规需求，因此2D市场将逐渐转变为利基市场。

3、DRAM：“寡头”优势延续 产能限量开出 价格持续畅旺

从全球DRAM市场竞争格局来看，三星、SK海力士和美光共囊括了全球95％以上的市场份额，在供应端拥有绝对的话语权。业界均预测，从三大巨头欲持续盈利的角度考虑，2018年DRAM产能输出恐仍将吃紧，涨价仍在所难免。

据业内权威机构提供的数据来看，DRAM的平均售价已由2016年4月的2．41美元攀升到2017年2月的3．7美元，涨幅高达53．3％。从产品毛利率来看，供应智能手机DRAM的毛利率已高达50％－60％，依靠这些价格高涨的DRAM产品，三星2017年前三季度的利润高达338．1亿美元，同比增长92．3％。

Cinno产业咨询部副总经理杨文得预计，2018年三星、SK海力士和美光依然会以获利为主要考量，因此不会明显开出更多DRAM产能，可见2018年DRAM仍将维持一定幅度的涨势，涨幅约为10－15％。从应用端来看，服务器需求将受益于AI、VR／AR以及车载对运算力的升级而持续增加，因此他持续看好DRAM在2018年的涨势。

三星、SK海力士和美光几乎占据了全球98％的DRAM市场份额。集邦科技行动式记忆体研究经理黄郁琁表示，2018年三家DRAM大厂的产出仍将十分有限，她预计服务器使用的高效能DRAM与智能手机使用的低功耗、高密度DRAM缺货情况仍会相当明显。她预计2018年上半年DRAM价格都会是上扬态势，直到三星平泽厂有些许DRAM量产后，全球DRAM供应才会有所改善。

黄郁琁预计，2018年的移动式DRAM会从LPDDR3转换到LPDDR4，一是因为高通、华为的高端手机芯片平台要求搭载性能更强的LPDDR4芯片，促使终端手机厂商不得不升级DRAM的搭载标准；二是三星、SK海力士和美光三巨头的产品规划本身也是朝着LPDDR4演进。不过她也表示，由于三大巨头的价格都非常强势，阻挡了DRAM容量提升的幅度，所以2018年LPDDR3仍会在市场徘徊一段时间才会进入LPDDR4，而更先进的LPDDR4X和LPDDR5系列预计要到2019年才会真正普及。

事实上，2016年前DRAM涨价幅度已经达到了30％，2017年搭载8GB DDR4 DRAM的旗舰机寥寥可数，只因终端厂商难以承受高涨的价格而保守选用了低容量的LPDDR3。2018年DRAM价格仍会持续上涨，所以LPDDR3仍会在市场有一定时间的停留。黄郁琁预计2018年DRAM市场需求量仍会有14％的成长，2018年原厂营收至少还要增长27％。

虽然往年Q4和Q1是DRAM市场的淡季，但由于DRAM的供货将持续紧张，黄郁琁建议目前相关厂商可以备一两周的库存了，待到2018年三星平泽厂DRAM产能释放出来，原厂供货才会舒缓一点。从服务器、PC和手机三大DRAM需求大户来看，预估2018年Q1智能手机搭载的DRAM价格会向PC靠拢，但不会像服务器需求的DRAM价格那么高，而这样的状况会延续2018整个上半年。

4、MOSFET：无线充电需求爆发 MOSFET供应告急Q4初步缓解

据记者了解，下游应用需求诸如新能源汽车、蓝牙音箱、智能家居、快速充电、无线充电等市场增速的加快，是导致金属半场效晶体管（MOSFET）缺货的直接拉动力，特别是在iPhone X搭载无线充电技术的带动下，无线充电市场对电源IC、MOSFET等的需求与日俱增。

随着2017年Q3元器件需求旺季的到来，MOSFET的供不应求开始加剧，产业链不同环节均开始涨价。
不仅是英飞凌、安森美等国际大厂发出涨价通知；
大陆最大的MOSFET厂商长电科技2017年连续3次涨价，累积调涨幅度10－30％；
在长电大涨MOSFET价格后，其它供货商如大中、尼克松、富鼎等台系MOSFET厂商立刻全面跟进涨价。

深圳市拓锋半导体科技有限公司总经理陈金松表示，MOSFET主要有三个方面的缺货原因：
一是硅材料的涨价导致晶圆片价位高企，相应的中芯国际、华虹－宏力等晶圆厂也跟着涨价；
二是封测环节所需的包材、树脂粉等材料价位不断高企，封测厂跟着水涨船高；
三是指纹识别芯片与第三代身份证IC需求量呈爆发式增长，且这块的利润比MOSFET更为可观，晶圆厂和封测厂将更多的产能转移到指纹识别与第三代身份证芯片，直接导致了MOSFET供应紧缺，涨价成了必然。

记者获悉，低压相比中高压MOSFET更缺，国际IDM厂陆续淡出计算机及消费性电子的中低压MOSFET市场，产能移转至汽车电子中高压MOSFET市场，或是转向量产绝缘闸双极晶体管（IGBT）或超接面（Super Junction）组件，是中低压更缺货的原因。

从交期上来看，根据富昌电子2017年Q4的市场分析报告指出，针对低压MOSFET产品，英飞凌、Diodes、飞兆／安森美、安世、ST、Vishay的交期均延长至16－30周；针对高压MOSFET产品，除IXYS和MS交期稳定之外，英飞凌、飞兆／安森美、ST、罗姆、Vishay交期也均有延长。

在接下来的应对策略上，华科半导体负责人李婷表示，一是尽量将订单计划提前，二是寻找新的产业链合作伙伴以补充货源。国内MOSFET晶圆供应商不多，高压主要有士兰微、华微、华晶等，低压主要有华虹、深圳本土的深爱等几家。目前高压MOSFET晶圆集中在6寸片，8寸片还没真正成熟，不过士兰微已经启动8寸片的产线，预计两年内可实现产能的成熟。

MOSFET涨价何时能得到缓解？陈金松表示可能要到2018年Q4，待国内12寸晶圆量产之后，将8寸的产能腾出来，才有可能缓解。同时要看封测厂的“吞吐力”是否足以化解8寸产能的释放，如果封测厂商难以消化这么大的产能，涨价仍会持续，只是涨价幅度不会像2017年这么大了。

与此同时，MOSFET国产化替代的趋势整在加强。以前，电源用的MOSFET多采用国外品牌，如美国A／O、台湾茂达、富鼎之类的厂商，而近些年电源厂商逐渐朝着国产MOSFET靠拢，而这个趋势越来越明显。陈金松告诉记者，A／O订货周期以前在4－6周，目前需要12周以上。相比之下，本土MOSFET品质在逐年提升，本土化的技术支持、交货周期也更灵活，终端厂商逐渐开始青睐国产MOSFET。

国际巨头在逐渐退出消费了市场之后，逐渐将重心转向利润空间更高的工业和医疗领域，给了国产MOSFET很大的市场机遇。相对而言，国际巨头在MOSFET产品的性能参数、可靠性、使用寿命等方面还是有一定的优势。不过，国内厂商在成本控制、本土化服务、交货后期等方面优要于国际巨头，因此在中低压消费类市场迅速占领了主导地位，国产化替代也在不断加速。

5、其他

除了上述4大类缺货最为严重的半导体元器件，2018年初行业爆出诸如电阻、电感等被动元器件、电源管理芯片、LED驱动芯片也出现了不同程度的缺货。

记者获悉，2018年元旦前后，国内外原厂就发布了新的涨价通知，主要集中在MOSFET、电源管理IC、LED驱动IC等产品，部分产品涨幅达到了15％－20％。2018年年初的这一波IC和元器件的涨幅，正式掀开了2018年半导体持续供应紧缺的序幕。（来源：华强电子网）